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走存儲器國產(chǎn)化戰略 堅持下去才有希望
時(shí)間:2016-07-12 10:51:03 來(lái)源:深圳市智慧安防行業(yè)協(xié)會(huì ) 作者:互聯(lián)網(wǎng)
【智慧安防網(wǎng)訊】國家重點(diǎn)推進(jìn)存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展不僅是因為其處于集成電路產(chǎn)業(yè)的核心地位，更是基于信息安全的考量，唯有在存儲器、CPU等核心芯片領(lǐng)域具備自主可控能力，才能確保國防及信息安全。目前國內的存儲器國產(chǎn)化具備一定的產(chǎn)業(yè)基礎，國家存儲器戰略有望落地！
歸納起來(lái)，目前存儲器有三個(gè)方面的力量正在聚集，一個(gè)是政府主導的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據說(shuō)己經(jīng)有9層3DNAND樣品。另一個(gè)是紫光，它的策略是先通過(guò)兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個(gè)是兩個(gè)地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團隊后再前進(jìn)。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM，未來(lái)技術(shù)將授權給晉華，同時(shí)聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。
依目前的態(tài)勢由于做的產(chǎn)品不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產(chǎn)線(xiàn)，所以未來(lái)可能還要等2-3年時(shí)間的觀(guān)察，結果才會(huì )更加明朗。個(gè)人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時(shí)技術(shù)方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來(lái)至少?lài)乙欢〞?huì )支持到底，相對有成功的可能與希望。
近期又傳來(lái)紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個(gè)理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔憂(yōu)。因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔心美光會(huì )采取不同的技術(shù)轉移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。如果未來(lái)由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯(lián)電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來(lái)主導中國的芯片制造業(yè)，對于如中芯國際，華力微等企業(yè)的成長(cháng)并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢，從道理上如中芯國際等企業(yè)應該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。
分析3DNAND閃存芯片制造基本上要過(guò)兩道難關(guān)，一個(gè)是過(guò)技術(shù)關(guān)。不管是32層，48層要能做出來(lái)，這一步最為重要，而且性能與成本上的差距不能太懸殊：另一個(gè)是準備迎接IP及價(jià)格戰，當中國真正做出產(chǎn)品后是無(wú)法避免的。
由于存儲器投資巨大，在具體操作方面既要有足夠信心，同時(shí)要慎之又慎。據SEMI報道，3DNAND生產(chǎn)線(xiàn)，每1000片的投資需55-65M美元，如若月產(chǎn)能200000片，需要130億美元，而且要計及之后每3年左右要作技術(shù)升級的投資。
另?yè)?010年12月資料，介紹3D閃存制作工藝(由于制造工藝各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整)；3DNAND技術(shù)在產(chǎn)品生產(chǎn)上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長(cháng)后，使用光罩及刻蝕，隨后連續成長(cháng)8層薄膜及刻蝕之后，最后便只需一道光罩，總計需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出，其Bit Costscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用這種技術(shù)。目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT；東芝的P-BiCS和3DVG，都屬于一體成形3D內存技術(shù)，可大幅降低生產(chǎn)成本。
堅持下去才有成功希望
目前業(yè)界的心態(tài)是能迅速上馬，最希望的能有技術(shù)合作伙伴呈現，甚至更有人期望通過(guò)兼并，一下子躍升至該有的高度。實(shí)際上的結果是至此無(wú)人響應，全球存儲器廠(chǎng)商集體的“袖手旁觀(guān)”。
其實(shí)這樣的結果是意料之中，并非是壞事，至少斷了想依賴(lài)有人能邦助我們的念想。因為即便有人能與中國進(jìn)行技術(shù)合作，等于上了別人設計的軌道，誰(shuí)也明白最先進(jìn)的技術(shù)不可能給中國，而沿著(zhù)別人軌道走會(huì )更難受，等于束縛了自已的手腳。
3DNAND閃存在全球競爭的態(tài)勢是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達256Gb，48層之外，其它對手們幾乎都在追趕。隨著(zhù)CVD工藝淀積層數的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時(shí)，要達到60：1及70：1的付蝕已經(jīng)很難。所以這個(gè)球己踢給設備供應商，它們要獲得訂單必須要為客戶(hù)解決難關(guān)。而據來(lái)自半導體設備廠(chǎng)的消息，未來(lái)128層尚有希望。這樣在對手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線(xiàn)成功的希望。
不管如何，現階段的自行研發(fā)一定要加緊突破，32層及48層都是前進(jìn)中的關(guān)鍵點(diǎn)，而且一定要把研發(fā)與量產(chǎn)結合在一起，改變之前兩者脫節的弊病。同時(shí)要充分利用好設備制造商，它們手中握有許多關(guān)鍵工藝技術(shù)，在提供設備的同時(shí)與我們分享。
未來(lái)它們對付中國的方法可能是首先打IP戰，控制技術(shù)與人材流失，以及最后一招是打價(jià)格戰，讓中國的企業(yè)在財務(wù)方面無(wú)法承受。因此現階段對手們是集體的“袖手旁觀(guān)”，等著(zhù)看中國出錯，最好是讓我們知難而退。
對于中國存儲器芯片制造項目，一定是場(chǎng)艱難的仗。預計無(wú)論是3DNAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國要解決的是從無(wú)到有的問(wèn)題，相信是完全可能的，然而由于采用技術(shù)的不同，以及制造成本方面的顯著(zhù)差異，未來(lái)可能的痛點(diǎn)是在面臨巨額虧損下不動(dòng)搖，不氣餒，只有堅持下去才有成功的希望。在此點(diǎn)上需要決策層面早有充分的預案與準備。
引用麥肯錫亞太區半導體咨詢(xún)業(yè)務(wù)負責人唐睿思說(shuō)，“我一直在強調一個(gè)重點(diǎn)，就是要有長(cháng)期的耐心資本，需等待很長(cháng)時(shí)間才能見(jiàn)效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會(huì )有進(jìn)步，執行力更好、有更多業(yè)務(wù)……在半導體行業(yè)成功是沒(méi)有捷徑的！”
“投資沒(méi)耐心是制約中國半導體發(fā)展的重要因素。很多投資人或企業(yè)想要三五年就獲得回報，很難實(shí)現。半導體制造行業(yè)投資成功在中國可能需要十年左右的時(shí)間”。
歸納起來(lái)，目前存儲器有三個(gè)方面的力量正在聚集，一個(gè)是政府主導的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據說(shuō)己經(jīng)有9層3DNAND樣品。另一個(gè)是紫光，它的策略是先通過(guò)兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個(gè)是兩個(gè)地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團隊后再前進(jìn)。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM，未來(lái)技術(shù)將授權給晉華，同時(shí)聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。
依目前的態(tài)勢由于做的產(chǎn)品不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產(chǎn)線(xiàn)，所以未來(lái)可能還要等2-3年時(shí)間的觀(guān)察，結果才會(huì )更加明朗。個(gè)人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時(shí)技術(shù)方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來(lái)至少?lài)乙欢〞?huì )支持到底，相對有成功的可能與希望。
近期又傳來(lái)紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個(gè)理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔憂(yōu)。因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔心美光會(huì )采取不同的技術(shù)轉移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。如果未來(lái)由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯(lián)電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來(lái)主導中國的芯片制造業(yè)，對于如中芯國際，華力微等企業(yè)的成長(cháng)并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢，從道理上如中芯國際等企業(yè)應該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。
分析3DNAND閃存芯片制造基本上要過(guò)兩道難關(guān)，一個(gè)是過(guò)技術(shù)關(guān)。不管是32層，48層要能做出來(lái)，這一步最為重要，而且性能與成本上的差距不能太懸殊：另一個(gè)是準備迎接IP及價(jià)格戰，當中國真正做出產(chǎn)品后是無(wú)法避免的。
由于存儲器投資巨大，在具體操作方面既要有足夠信心，同時(shí)要慎之又慎。據SEMI報道，3DNAND生產(chǎn)線(xiàn)，每1000片的投資需55-65M美元，如若月產(chǎn)能200000片，需要130億美元，而且要計及之后每3年左右要作技術(shù)升級的投資。
另?yè)?010年12月資料，介紹3D閃存制作工藝(由于制造工藝各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整)；3DNAND技術(shù)在產(chǎn)品生產(chǎn)上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長(cháng)后，使用光罩及刻蝕，隨后連續成長(cháng)8層薄膜及刻蝕之后，最后便只需一道光罩，總計需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出，其Bit Costscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用這種技術(shù)。目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT；東芝的P-BiCS和3DVG，都屬于一體成形3D內存技術(shù)，可大幅降低生產(chǎn)成本。
堅持下去才有成功希望
目前業(yè)界的心態(tài)是能迅速上馬，最希望的能有技術(shù)合作伙伴呈現，甚至更有人期望通過(guò)兼并，一下子躍升至該有的高度。實(shí)際上的結果是至此無(wú)人響應，全球存儲器廠(chǎng)商集體的“袖手旁觀(guān)”。
其實(shí)這樣的結果是意料之中，并非是壞事，至少斷了想依賴(lài)有人能邦助我們的念想。因為即便有人能與中國進(jìn)行技術(shù)合作，等于上了別人設計的軌道，誰(shuí)也明白最先進(jìn)的技術(shù)不可能給中國，而沿著(zhù)別人軌道走會(huì )更難受，等于束縛了自已的手腳。
3DNAND閃存在全球競爭的態(tài)勢是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達256Gb，48層之外，其它對手們幾乎都在追趕。隨著(zhù)CVD工藝淀積層數的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時(shí)，要達到60：1及70：1的付蝕已經(jīng)很難。所以這個(gè)球己踢給設備供應商，它們要獲得訂單必須要為客戶(hù)解決難關(guān)。而據來(lái)自半導體設備廠(chǎng)的消息，未來(lái)128層尚有希望。這樣在對手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線(xiàn)成功的希望。
不管如何，現階段的自行研發(fā)一定要加緊突破，32層及48層都是前進(jìn)中的關(guān)鍵點(diǎn)，而且一定要把研發(fā)與量產(chǎn)結合在一起，改變之前兩者脫節的弊病。同時(shí)要充分利用好設備制造商，它們手中握有許多關(guān)鍵工藝技術(shù)，在提供設備的同時(shí)與我們分享。
未來(lái)它們對付中國的方法可能是首先打IP戰，控制技術(shù)與人材流失，以及最后一招是打價(jià)格戰，讓中國的企業(yè)在財務(wù)方面無(wú)法承受。因此現階段對手們是集體的“袖手旁觀(guān)”，等著(zhù)看中國出錯，最好是讓我們知難而退。
對于中國存儲器芯片制造項目，一定是場(chǎng)艱難的仗。預計無(wú)論是3DNAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國要解決的是從無(wú)到有的問(wèn)題，相信是完全可能的，然而由于采用技術(shù)的不同，以及制造成本方面的顯著(zhù)差異，未來(lái)可能的痛點(diǎn)是在面臨巨額虧損下不動(dòng)搖，不氣餒，只有堅持下去才有成功的希望。在此點(diǎn)上需要決策層面早有充分的預案與準備。
引用麥肯錫亞太區半導體咨詢(xún)業(yè)務(wù)負責人唐睿思說(shuō)，“我一直在強調一個(gè)重點(diǎn)，就是要有長(cháng)期的耐心資本，需等待很長(cháng)時(shí)間才能見(jiàn)效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會(huì )有進(jìn)步，執行力更好、有更多業(yè)務(wù)……在半導體行業(yè)成功是沒(méi)有捷徑的！”
“投資沒(méi)耐心是制約中國半導體發(fā)展的重要因素。很多投資人或企業(yè)想要三五年就獲得回報，很難實(shí)現。半導體制造行業(yè)投資成功在中國可能需要十年左右的時(shí)間”。
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